12月5日，長鑫存儲在官方微信公號宣布，將通過加拿大知識產(chǎn)權(quán)公司W(wǎng)iLAN獲得大量來源于英飛凌的動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）技術(shù)專利的實施許可。由于涉及商業(yè)秘密條款，雙方并沒有披露交易金額。

長鑫存儲董事長兼首席執(zhí)行官朱一明表示：“兩份協(xié)議標(biāo)志著，在完善知識產(chǎn)權(quán)組合、進(jìn)一步強(qiáng)化技術(shù)戰(zhàn)略和保障DRAM業(yè)務(wù)運營方面，長鑫存儲采取了新舉措?！?/span>

觀察者網(wǎng)注意到，目前市場上主要有兩種存儲器產(chǎn)品，一種是DRAM（動態(tài)隨機(jī)存儲器），另一種是NAND Flash（閃存）。中國目前在這兩個領(lǐng)域基本都依靠進(jìn)口。

不過讓人欣慰的是，長鑫存儲內(nèi)存芯片自主制造項目已正式投產(chǎn)，首批芯片今年底將會交付客戶 。除此之外，紫光集團(tuán)今年也開始加碼DRAM領(lǐng)域，并已在重慶布局DRAM存儲芯片工廠。

但是，中國企業(yè)在DRAM領(lǐng)域仍然任重道遠(yuǎn)。目前在該領(lǐng)域，三星、SK海力士、美光的全球市場份額合計接近95%，更關(guān)鍵的是，這三家企業(yè)同時掌控著諸多DRAM技術(shù)專利。

對此，財新網(wǎng)6日援引一名半導(dǎo)體行業(yè)資深人士的話報道稱：此次長鑫存儲拿到更多的技術(shù)授權(quán)和專利有防御作用。當(dāng)競爭對手發(fā)起專利戰(zhàn)，一些基礎(chǔ)的專利可以用來“打仗”。

首批DRAM芯片年底交付

據(jù)長鑫存儲官方微信5日介紹，長鑫存儲與WiLAN全資子公司Polaris Innovations Limited已達(dá)成專利許可協(xié)議和專利采購協(xié)議。這些專利由德國制造商奇夢達(dá)開發(fā)，Polaris從其母公司英飛凌購得。

依據(jù)雙方達(dá)成的獨立專利采購協(xié)議，長鑫存儲從Polaris購得相當(dāng)數(shù)量的DRAM專利，此專利許可和專利采購協(xié)議中所包括的交易金額等商業(yè)秘密條款未予披露。

長鑫存儲董事長兼首席執(zhí)行官朱一明表示：“長鑫存儲將不斷增加在半導(dǎo)體核心技術(shù)和高價值知識產(chǎn)權(quán)方面的積累。兩份協(xié)議標(biāo)志著，在完善知識產(chǎn)權(quán)組合、進(jìn)一步強(qiáng)化技術(shù)戰(zhàn)略和保障DRAM業(yè)務(wù)運營方面，長鑫存儲采取了新舉措。”

而WiLAN總裁兼首席執(zhí)行官Michael Vladescu坦言：“這兩份協(xié)議表明，長鑫存儲高度重視知識產(chǎn)權(quán)，致力于持續(xù)投入研發(fā)。我們相信，由此獲得的權(quán)益將使長鑫存儲在業(yè)內(nèi)擁有競爭優(yōu)勢，助力長鑫存儲持續(xù)開發(fā)DRAM關(guān)鍵技術(shù)?！?/span>

DRAM即動態(tài)隨機(jī)存儲器，是最常見的系統(tǒng)內(nèi)存，被喻為連接中央處理器的“數(shù)據(jù)高速公路”，廣泛用于PC、手機(jī)、服務(wù)器等領(lǐng)域。目前，中國存儲芯片廠商已開始在該領(lǐng)域不斷加大投入并已有所進(jìn)展。

2016年，合肥長鑫存儲項目啟動。今年9月20日，長鑫存儲宣布：總投資約1500億元的內(nèi)存芯片自主制造項目正式投產(chǎn)。其與國際主流DRAM同步的10納米級第一代8Gb DDR4也首度亮相，一期設(shè)計產(chǎn)能達(dá)每月12萬片晶圓，首批芯片今年底將會交付客戶 。

新華社當(dāng)時援引業(yè)內(nèi)專家介紹稱，長鑫存儲DRAM項目投產(chǎn)標(biāo)志我國在內(nèi)存芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)技術(shù)突破，擁有了這一關(guān)鍵戰(zhàn)略性元器件的自主生產(chǎn)能力。

除此之外，紫光集團(tuán)今年也開始加碼DRAM領(lǐng)域。6月30日，紫光集團(tuán)宣布成立DRAM事業(yè)群，集團(tuán)聯(lián)席總裁刁石京任董事長、全球執(zhí)行副總裁高啟全任CEO。該集團(tuán)還計劃于年底在重慶開工建設(shè)DRAM工廠，主要制造12英寸的DRAM存儲芯片。

拿到的專利“可以用來打仗”

存儲器是中國集成電路產(chǎn)業(yè)的短板，也是國家大力推進(jìn)的重點領(lǐng)域。

觀察者網(wǎng)查詢到，賽迪智庫《2018年全球集成電路產(chǎn)品貿(mào)易研究報告》數(shù)據(jù)顯示，2018年中國大陸進(jìn)口集成電路金額高達(dá)3120.6億美元，已遠(yuǎn)超石油進(jìn)口額，成為中國進(jìn)口金額最大的商品，其中存儲器占集成電路進(jìn)口金額的39%，達(dá)到1230.6億美元。

另外，DRAMeXchange數(shù)據(jù)顯示，在DRAM領(lǐng)域，今年三季度，三星、SK海力士、美光的全球市場份額合計接近95%，更重要的是，這三家企業(yè)同時掌控著諸多DRAM技術(shù)專利。

值得一提的是，中國存儲芯片三大廠商之一的福建晉華就受曾受制于和美光的專利糾紛。

2016年5月，晉華與聯(lián)電簽署技術(shù)合作協(xié)議，開發(fā)DRAM相關(guān)制程技術(shù)。由晉華支付技術(shù)報酬金，開發(fā)出的DRAM技術(shù)成果，將由雙方共同擁有。

然而，去年10月29日，美國商務(wù)部發(fā)布公告稱，將福建晉華集成電路有限公司加入實體清單，對其采取限制出口措施。理由是：“福建晉華即將完成DRAM的量產(chǎn)，該技術(shù)可能源自美國?！?/span>

隨后，美國司法部宣布，對福建晉華及其中國臺灣地區(qū)合作伙伴聯(lián)華電子提起訴訟，指控這兩家企業(yè)涉嫌竊取美國存儲芯片公司美光科技的知識產(chǎn)權(quán)和商業(yè)機(jī)密。

11月3日，晉華回應(yīng)稱，晉華公司始終重視知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)工作，不存在竊取其他公司技術(shù)的行為。當(dāng)時，據(jù)“DIGITIMES”報道，美國政府下達(dá)出口禁令后，晉華斥資60億美元的半導(dǎo)體廠房直接停擺。

對此，中國政府在去年11月在WTO的會議上表示，美國對福建晉華實施出口管制，違反WTO規(guī)則，旨在保護(hù)美國的行業(yè)壟斷地位，況且晉華公司還沒有開始生產(chǎn)，遠(yuǎn)不會威脅美國制造商的利益。

由此可看出，專利合規(guī)問題在存儲芯片企業(yè)的發(fā)展過程中至關(guān)重要。

在談到長鑫存儲上述專利收購時，財新網(wǎng)6日援引一名半導(dǎo)體行業(yè)資深人士的話報道稱：奇夢達(dá)的技術(shù)路線跟美光不一樣，此次拿到更多的技術(shù)授權(quán)和專利有防御作用。當(dāng)競爭對手發(fā)起專利戰(zhàn)，一些基礎(chǔ)的專利可以用來“打仗”。

另外，今年5月15日，長鑫存儲董事長朱一明介紹自身知識產(chǎn)權(quán)體系時提到：“DRAM產(chǎn)業(yè)在全球發(fā)展了幾十年，制程技術(shù)持續(xù)進(jìn)步，在架構(gòu)、制程、設(shè)計、接口、測試、系統(tǒng)等方面存在很多專利，且絕大部分控制在三星、海力士和美光手中。新進(jìn)者是否擁有合規(guī)的技術(shù)來源以及自主創(chuàng)新能力成為立足發(fā)展的關(guān)鍵?！?/span>

他當(dāng)時披露，長鑫存儲已從奇夢達(dá)獲得部分技術(shù)來源。與后者的合作使長鑫存儲獲得一千多萬份有關(guān)DRAM的技術(shù)文件及2.8TB數(shù)據(jù)，成為公司最初的技術(shù)來源之一。

值得一提的是，紫光集團(tuán)的DRAM技術(shù)同樣來源于奇夢達(dá)。據(jù)西安紫光國芯官網(wǎng)介紹，2015年，紫光國芯收購了西安華芯半導(dǎo)體有限公司，該公司的前身是從德國英飛凌分拆出的奇夢達(dá)，擁有英飛凌存儲器事業(yè)部的班底。